专利详情

专利名称	一种光学元件吸收损耗测量的数据处理改进方法
申请号	CN201010535210.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102053006A	公开（授权）日	2011.05.11
申请（专利权）人	中国科学院光电技术研究所	发明（设计）人	李斌成;王艳茹;高卫东
主分类号	G01M11/00(2006.01)I	IPC主分类号	G01M11/00(2006.01)I;G01M11/02(2006.01)I;G01N25/20(2006.01)I
专利有效期	一种光学元件吸收损耗测量的数据处理改进方法至一种光学元件吸收损耗测量的数据处理改进方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种光学元件吸收损耗测量的数据处理改进方法，连续激励光束经透镜聚焦后照射光学元件表面，光学元件因吸收入射激光束能量引起内部温度上升。通过建立一种更能真实反映光学元件所处物理实际的精确温度模型，基于此精确温度模型，通过对一定尺寸不同热物理性质光学元件不同位置温升的数值模拟，得到不同于国际标准ISO11551所采用的最佳温度探测位置。再将温度传感器调至此最佳温度探测位置测量光学元件表面的温度数据，将测量得到的温度数据拟合到国际标准ISO11551中所采用的均匀温度模型得到样品的吸收损耗值。与现有国际标准ISO11551采用固定温度探测位置相比较，本发明提出针对不同待测光学元件尺寸和热物理参数，采用位置可调的温度传感器以实现更精确测量光学元件吸收损耗的目的。