专利详情

专利名称	电离层小尺度结构的雷达成像方法
申请号	CN201110217010.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102901963A	公开（授权）日	2013.01.30
申请（专利权）人	中国科学院电子学研究所	发明（设计）人	李芳;李廉林;刘艳丽
主分类号	G01S13/90(2006.01)I	IPC主分类号	G01S13/90(2006.01)I
专利有效期	电离层小尺度结构的雷达成像方法至电离层小尺度结构的雷达成像方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种电离层小尺度结构的雷达成像方法，涉及合成孔径或真实孔径雷达成像技术，包括：步骤一：地基雷达发射信号照射电离层，接受经电离层散射的回波数据；步骤二：根据雷达回波数据计算三类相关函数，重构电离层小尺度不规则体的统计参数；步骤三：估计电离层不规则体高度；步骤四：重构电离层不规则体相关函数；步骤五：将步骤四计算所得结果输出，计算电离层不规则体的方差和尺度等参数，从而完成电离层小尺度不规则体的成像。本发明方法利用合成孔径雷达回波(后向散射场)的统计特性，估计电离层小尺度结构的谱特性及其位置，方法简单，成像准确。