专利详情

专利名称	一种大口径高质量磷酸二氢钾单晶生长方法
申请号	CN200810071779.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101775651A	公开（授权）日	2010.07.14
申请（专利权）人	中国科学院福建物质结构研究所	发明（设计）人	李国辉;李征东;苏根博;贺友平;林秀钦;庄欣欣
主分类号	C30B29/14(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/14(2006.01)I;C30B7/08(2006.01)I
专利有效期	一种大口径高质量磷酸二氢钾单晶生长方法至一种大口径高质量磷酸二氢钾单晶生长方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种大口径高质量磷酸二氢钾单晶生长方法。该方法包括如下步骤：在籽晶成锥时，初始生长温度下降到溶液饱和点下0.5℃开始成锥，控制降温速率为0.05℃/天；籽晶闭锥后，采用分阶段降温模式，晶体闭锥至50℃，保持降温速率0.05℃/天；50℃至35℃，保持降温速率0.1℃/天，35℃至室温，保持降温速率0.15℃/天；晶体转动模式按照“加速-正转-减速-停转-加速-反转-减速-停转”循环顺序，时间间隔为“20秒-60秒-20秒-20秒-20秒-60秒-20秒-20秒”的模式转动籽晶，保持正反转速率为40-60转/分。