专利详情

专利名称	一种基于栅介质结构的石墨烯场效应器件及其制备方法
申请号	CN201210461745.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102931057A	公开（授权）日	2013.02.13
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	王浩敏;谢红;孙秋娟;康晓旭;刘晓宇;谢晓明
主分类号	H01L21/04(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/04(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I
专利有效期	一种基于栅介质结构的石墨烯场效应器件及其制备方法至一种基于栅介质结构的石墨烯场效应器件及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种基于栅介质结构的石墨烯场效应器件及其制备方法，该石墨烯场效应器件包括：具有栅电极沟槽的衬底；形成于所述栅电极沟槽中的栅电极；Al2O3介电薄膜层，位于所述栅电极沟槽中的栅电极表面，且Al2O3介电薄膜层表面与衬底表面齐平；覆盖于所述Al2O3介电薄膜层和衬底表面的BN薄膜层；形成于所述BN薄膜层上方的石墨烯；设置在所述石墨烯上方的源电极和漏电极，所述源电极和漏电极分别与石墨烯电性连接。本发明制备的BN薄膜层与Al2O3介电薄膜层共同构成新型的栅介质结构，有效保持了石墨烯中固有载流子的高迁移率，增强栅极的场效应作用，适用于石墨烯基高射频器件及碳基大规模集成电路制造领域。