专利详情

专利名称	集成光波导马赫－泽德干涉型传感芯片的制作方法
申请号	CN201110155033.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102253450A	公开（授权）日	2011.11.23
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	姜婷;吴远大;王玥;安俊明;李建光;王红杰;胡雄伟
主分类号	G02B6/132(2006.01)I	IPC主分类号	G02B6/132(2006.01)I;G02B6/136(2006.01)I;G02B6/13(2006.01)I;G01N21/45(2006.01)I
专利有效期	集成光波导马赫－泽德干涉型传感芯片的制作方法至集成光波导马赫－泽德干涉型传感芯片的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种集成光波导马赫-泽德干涉型传感芯片的制作方法，包括：取一SOI基片；在SOI基片的顶层硅上涂光刻胶，利用光刻的技术在光刻胶上形成图形；利用感应耦合等离子体刻蚀工艺，在顶层硅上刻蚀出脊形光波导结构，去掉脊形光波导结构上的光刻胶；利用等离子体增强化学气相沉淀技术，在脊形光波导结构的表面淀积一层二氧化硅层；再在二氧化硅层的表面涂光刻胶层，利用光刻的技术在光刻胶层上形成图形；利用湿法刻蚀工艺，在二氧化硅层上得到敏感窗口，形成基片；对基片进行划片、抛光处理，得到芯片单元；利用旋涂法，将二氧化锡溶胶均匀涂覆在芯片单元的表面；对涂覆有二氧化锡溶胶的芯片单元进行退火处理；在退火后的芯片单元两端用紫外固化胶粘上光纤阵列。