
集成光波导马赫-泽德干涉型传感芯片的制作方法
- 申请号:CN201110155033.X
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号:CN102253450A
- 公开(公开)日:2011.11.23
- 法律状态:实质审查的生效
- 出售价格: 面议 立即咨询
专利详情
专利名称 | 集成光波导马赫-泽德干涉型传感芯片的制作方法 | ||
申请号 | CN201110155033.X | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102253450A | 公开(授权)日 | 2011.11.23 |
申请(专利权)人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明(设计)人 | 姜婷;吴远大;王玥;安俊明;李建光;王红杰;胡雄伟 |
主分类号 | G02B6/132(2006.01)I | IPC主分类号 | G02B6/132(2006.01)I;G02B6/136(2006.01)I;G02B6/13(2006.01)I;G01N21/45(2006.01)I |
专利有效期 | 集成光波导马赫-泽德干涉型传感芯片的制作方法 至集成光波导马赫-泽德干涉型传感芯片的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 一种集成光波导马赫-泽德干涉型传感芯片的制作方法,包括:取一SOI基片;在SOI基片的顶层硅上涂光刻胶,利用光刻的技术在光刻胶上形成图形;利用感应耦合等离子体刻蚀工艺,在顶层硅上刻蚀出脊形光波导结构,去掉脊形光波导结构上的光刻胶;利用等离子体增强化学气相沉淀技术,在脊形光波导结构的表面淀积一层二氧化硅层;再在二氧化硅层的表面涂光刻胶层,利用光刻的技术在光刻胶层上形成图形;利用湿法刻蚀工艺,在二氧化硅层上得到敏感窗口,形成基片;对基片进行划片、抛光处理,得到芯片单元;利用旋涂法,将二氧化锡溶胶均匀涂覆在芯片单元的表面;对涂覆有二氧化锡溶胶的芯片单元进行退火处理;在退火后的芯片单元两端用紫外固化胶粘上光纤阵列。 |
交易流程
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01
选取所需
专利 -
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确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
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确认变更
成功 - 06 支付尾款
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