一种半导体器件及其形成方法
- 申请号：CN201010257006.9
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102376682A
- 公开(公开)日：2012.03.14
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种半导体器件及其形成方法 | ||
| 申请号 | CN201010257006.9 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102376682A | 公开（授权）日 | 2012.03.14 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 赵超;王文武;朱慧珑 |
| 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种半导体器件及其形成方法 至一种半导体器件及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种半导体器件，所述半导体器件包括接触塞，所述接触塞包括：第一接触塞，所述第一接触塞由第一阻挡层和钨层构成，所述钨层接于所述第一阻挡层上，所述第一阻挡层接于源漏区上；第二接触塞，所述第二接触塞包括第二阻挡层和导电层，所述导电层的电导率高于所述钨层的电导率，所述导电层接于所述第二阻挡层上，所述第二阻挡层分别接于金属栅极和所述第一接触塞上。还提供了一种半导体器件的形成方法。利于在采用铜接触技术时增强器件的可靠性。 | ||
交易流程
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