专利详情

专利名称	抑制空间烧孔效应的分布反馈激光器的制作方法
申请号	CN201110356474.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102377109A	公开（授权）日	2012.03.14
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	张灿;梁松;朱洪亮;马丽
主分类号	H01S5/12(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/12(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I
专利有效期	抑制空间烧孔效应的分布反馈激光器的制作方法至抑制空间烧孔效应的分布反馈激光器的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种抑制空间烧孔效应的分布反馈激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长介质掩模，涂光刻胶，光刻，两条介质掩模形成介质掩膜图形，两条介质掩模之间为生长窗口；步骤3：在制作有介质掩膜图形的衬底1上外延制作多量子阱有源区；步骤4：在多量子阱有源区的表层制作均匀光栅；步骤5：腐蚀去掉介质掩膜，在均匀光栅上生长包层和电接触层；步骤6：在电接触层上涂光刻胶，光刻；步骤7：采用湿法腐蚀，在电接触层上制作出脊波导结构；步骤8：在脊波导结构的顶端制作正面电极；步骤9：将衬底减薄后在衬底的底部制作背面电极，完成制作。