专利详情

专利名称	基于双势垒隧道结共振隧穿效应的晶体管
申请号	CN200510064341.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1753187	公开（授权）日	2006.03.29
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	曾中明;韩秀峰;杜关祥;魏红祥;李飞飞;詹文山
主分类号	H01L29/70(2006.01)	IPC主分类号	H01L29/70(2006.01);H01L29/72(2006.01);H01L29/88(2006.01)
专利有效期	基于双势垒隧道结共振隧穿效应的晶体管至基于双势垒隧道结共振隧穿效应的晶体管	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及基于双势垒隧道结共振隧穿效应的晶体管包括：衬底、发射极、基极、集电极和第一和第二隧道势垒层；其中第一隧道势垒层设置在发射极和基极之间，第二隧道势垒层在基极与集电极之间；并且发射极与基极间和基极与集电极间形成的隧道结的结面积的大小为1平方微米～ 10000平方微米；基极的厚度与该层材料的电子平均自由程可比拟；发射极、基极和集电极中有且仅有一极的磁化强度的方向是自由的。由于采用双势垒结构，克服了由于基极与集电极之间产生的肖特基势。其中，基极电流为调制信号，通过改变基极或集电极的磁化强度的方向，使集电极的信号与基极电流的调制模式相似，即发生共振隧穿效应，在合适的条件下可得到放大的信号。