专利详情

专利名称	阴阳离子同时双掺杂的高光产额钨酸铅晶体及其生长方法
申请号	CN200510029744.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1763271	公开（授权）日	2006.04.26
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	严东生;殷之文;廖晶莹;沈炳孚;童乃志;邵培发;袁晖;谢建军;叶崇志;周乐萍;李培俊;吴泓澍;杨培志;倪海洪;刘光煜
主分类号	C30B29/32(2006.01)	IPC主分类号	C30B29/32(2006.01);C30B11/00(2006.01)
专利有效期	阴阳离子同时双掺杂的高光产额钨酸铅晶体及其生长方法至阴阳离子同时双掺杂的高光产额钨酸铅晶体及其生长方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种利用改进的坩埚下降法生长阴阳离子同时双掺杂的高光产额快衰减钨酸铅闪烁晶体的制备方法，属于晶体生长领域。使用本发明提供的工艺技术可克服阴阳离子双掺杂PWO晶体生长过程中原料及掺杂剂挥发的问题，生长出光产额达到BGO晶体的7.3％的阴阳离子双掺杂 PWO晶体。本发明采用PbF₂和 Y₂O_{3或BaF₂和 Y₂O_{3作为掺杂剂，掺杂量分别为600－1000ppm(at％)和100－ 300ppm(at％)，使用铂坩埚生长，坩埚密封以控制原料及掺杂剂的挥发，坩埚的形状和大小随所需生长晶体的形状和大小而异。用本发明可以同时生长2根、6根或28根高光产额钨酸铅晶体，适于大批量生产。}}