专利详情

专利名称	低电阻率金属氧化物镍酸镧的制备方法
申请号	CN200510029084.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1766158	公开（授权）日	2006.05.03
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	褚君浩;张晓东;孟祥建;孙璟兰;林铁
主分类号	C23C14/34(2006.01)	IPC主分类号	C23C14/34(2006.01);C23C14/54(2006.01);C23C14/58(2006.01)
专利有效期	低电阻率金属氧化物镍酸镧的制备方法至低电阻率金属氧化物镍酸镧的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种低电阻率金属氧化物镍酸镧薄膜的制备方法，该方法是通过采用磁控溅射的方法沉积镍酸镧薄膜，然后对镍酸镧薄膜进行高压氧热处理得到低电阻率的导电金属氧化物镍酸镧薄膜。该方法的优点是得到的薄膜电阻率极低，有利于器件的铁电性能充分发挥，并可降低器件的工作电压。制备方法简单，生长的薄膜材料性能稳定、重复性好、成本低。薄膜材料的整个生长和后处理温度都低于硅读出电路的最高容忍温度450℃，因此用本发明方法制备的LNO薄膜材料作为铁电微器件的底电极可以和硅读出电路集成。