专利详情

专利名称	一种鱼脊形场效应晶体管的结构和制备方法
申请号	CN200410088513.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1770453	公开（授权）日	2006.05.10
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	殷华湘;徐秋霞
主分类号	H01L27/088(2006.01)	IPC主分类号	H01L27/088(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L21/8232(2006.01);H01L21/336(2006.01)
专利有效期	一种鱼脊形场效应晶体管的结构和制备方法至一种鱼脊形场效应晶体管的结构和制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种鱼脊形场效应晶体管的结构和制备方法，步骤为：在原始硅片上形成低掺杂的P阱与N阱；近似全平面的凹陷局部场氧化隔离，形成有源区；淀积氧化层/氮化硅/氧化层多层绝缘层用于栅电极与衬底的隔离；在多层绝缘介质层上光刻、干法刻蚀出凹槽结构；在与凹槽的垂直的方向上光刻硅岛图形，然后干法刻蚀掉凹槽中剩余的绝缘介质，再干法刻蚀硅衬底形成硅岛；淀积氧化硅和氮化硅，再各向异性刻蚀形成氮化硅侧墙；三维薄栅氧化并淀积栅电极材料；光刻和刻蚀源漏区上的多晶硅和介质至硅衬底表面；源漏注入掺杂并快速热退火激活；淀积和刻蚀形成二氧化硅源漏侧墙；自对准硅化物；硼磷硅玻璃覆盖隔离，光刻与干法刻蚀接触孔，并多层金属化。