专利详情

专利名称	相变存储器的数据读出电路
申请号	CN201110151742.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102820056A	公开（授权）日	2012.12.12
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	李喜;陈后鹏;宋志棠;蔡道林
主分类号	G11C16/06(2006.01)I	IPC主分类号	G11C16/06(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I
专利有效期	相变存储器的数据读出电路至相变存储器的数据读出电路	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种相变存储器的数据读出电路，涉及一个或多个相变存储单元，每一个相变存储单元通过位线和字线与控制电路连接；所述数据读出数据包括：箔位电压产生电路，用于产生箔位电压；预充电电路，在箔位电压的控制下对位线进行快速充电；箔位电流产生电路，在箔位电压的控制下产生使位线维持在箔位平衡态时的箔位电流；箔位电流运算电路，将箔位电流进行求差和倍乘运算，增大高阻态时箔位电流和低阻态时箔位电流的差值；比较放大电路，将经过运算处理后的箔位电流与参考电流比较，输出读出结果。相比于现有技术，本发明的相变存储器的数据读出电路能有效地提高数据的读出速度、减小高低阻间的误读窗口、减小数据读出时的串扰、提高读出数据的可靠性。