专利详情

专利名称	一种钛酸铋钠-钛酸铅压电单晶的制备方法
申请号	CN201210324696.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102817068A	公开（授权）日	2012.12.12
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	陈建伟;罗豪甦;赵祥永;李晓兵;张海武;徐海清;王升;王西安;林迪;任博;狄文宁;邓昊
主分类号	C30B11/00(2006.01)I	IPC主分类号	C30B11/00(2006.01)I;C30B29/32(2006.01)I
专利有效期	一种钛酸铋钠-钛酸铅压电单晶的制备方法至一种钛酸铋钠-钛酸铅压电单晶的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种钛酸铋钠-钛酸铅压电单晶的制备方法，所述方法为坩埚下降法，包括制备单晶生长起始料、采用坩埚下降法进行单晶生长及生长结束，降温至室温等步骤。本发明首次采用坩埚下降法制得了具有高居里温度和去极化温度的钛酸铋钠-钛酸铅压电单晶(NBT-PT)，不仅可使所制得的NBT-PT单晶尺寸达到Ф20mm×70mm，而且使所制得的NBT-PT单晶表现出优异的压电性能和良好的电场稳定性，居里温度可达300℃，退极化温度可达176℃，压电常数d33可达280pC/N，机电耦合系数kt可达52%，具有广阔的使用温度范围；而且含铅量极低，符合我国及国际环保需求，因此其应用前景十分广阔。