专利详情

专利名称	下降法生长宽板状锗酸铋晶体的生长装置与方法
申请号	CN201210322557.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102828230A	公开（授权）日	2012.12.19
申请（专利权）人	上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	倪海洪;王绍华;周里华;刘光煜;陈俊锋;赵鹏;袁兰英;宋桂兰;齐雪君;张健
主分类号	C30B11/00(2006.01)I	IPC主分类号	C30B11/00(2006.01)I;C30B29/32(2006.01)I;C30B29/64(2006.01)I
专利有效期	下降法生长宽板状锗酸铋晶体的生长装置与方法至下降法生长宽板状锗酸铋晶体的生长装置与方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种下降法生长宽板状锗酸铋晶体的生长装置与方法。本发明通过改变生长装置中上隔砖7的形状以及活动调节生长装置的横向宽度和高温区的高度，并设计出超大尺寸的铂金坩埚和氧化铝引下坩埚，利用长晶体作为籽晶横向接种，调整均匀的横向温度场和合适的纵向温度梯度，制备出宽板状、高质量的锗酸铋无机闪烁晶体。