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一种二氧化钒薄膜的低温制备方法与应用

  • 申请号:CN201010126863.5
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
  • 公开(公开)号:CN101805131A
  • 公开(公开)日:2010.08.18
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种二氧化钒薄膜的低温制备方法与应用
申请号 CN201010126863.5 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN101805131A 公开(授权)日 2010.08.18
申请(专利权)人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明(设计)人 高彦峰;张宗涛;杜靖;康利涛;罗宏杰
主分类号 C03C17/23(2006.01)I IPC主分类号 C03C17/23(2006.01)I
专利有效期 一种二氧化钒薄膜的低温制备方法与应用 至一种二氧化钒薄膜的低温制备方法与应用 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明属于化学功能材料领域,涉及一种二氧化钒薄膜的低温制备方法及应用。该制备方法采用低毒性的乙酰丙酮氧钒为反应物,在250℃-750℃,控制烧结气氛条件下获得具有相变特性的二氧化钒薄膜。该薄膜的相变温度可调整至室温附近。该方法耗能少、制备工艺简单、安全性好、获得的二氧化钒薄膜烧结温度低,适合于大规模的工业化生产。

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