专利详情

专利名称	一种原位反应制备钇硅氧氮陶瓷材料的方法
申请号	CN201110140006.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102795856A	公开（授权）日	2012.11.28
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	周延春;孙鲁超;王京阳
主分类号	C04B35/505(2006.01)I	IPC主分类号	C04B35/505(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I
专利有效期	一种原位反应制备钇硅氧氮陶瓷材料的方法至一种原位反应制备钇硅氧氮陶瓷材料的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明属于高温功能/结构陶瓷领域，更具体地说，是涉及一种原位反应制备钇硅氧氮(Y4Si2O7N2)陶瓷材料的方法。本发明提供了一种原位反应制备钇硅氧氮陶瓷材料的方法。其以氧化钇粉(Y2O3)、氧化硅粉(SiO2)和氮化硅粉(Si3N4)混合而成的固体粉末混合物作为原料，原料粉的摩尔比为Y2O3∶SiO2∶Si3N4＝4∶(0.8-1.2)∶(0.8-1.2)，采用原位反应法合成单相的Y4Si2O7N2材料。本发明可以在较低温度下，较短的时间内制备得到高纯度钇硅氧氮(Y4Si2O7N2)陶瓷粉体或者块体材料，所制备出的Y4Si2O7N2陶瓷块体材料具有高熔点、低密度、低热导率等特点，是优良的隔热高温陶瓷材料。