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一种利用微波法制备Y4Si2O7N2粉体材料的方法

  • 申请号:CN201110139977.8
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院金属研究所
  • 公开(公开)号:CN102795855A
  • 公开(公开)日:2012.11.28
  • 法律状态:实质审查的生效
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专利详情

专利名称 一种利用微波法制备Y4Si2O7N2粉体材料的方法
申请号 CN201110139977.8 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102795855A 公开(授权)日 2012.11.28
申请(专利权)人 中国科学院金属研究所 发明(设计)人 周延春;孙鲁超;王京阳;王杰民
主分类号 C04B35/505(2006.01)I IPC主分类号 C04B35/505(2006.01)I;C04B35/626(2006.01)I
专利有效期 一种利用微波法制备Y4Si2O7N2粉体材料的方法 至一种利用微波法制备Y4Si2O7N2粉体材料的方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明属于高温功能/结构陶瓷领域,更具体地说,是涉及一种利用微波法制备Y4Si2O7N2粉体材料的方法。本发明提供了一种利用微波法制备Y4Si2O7N2粉体材料的方法。其以氧化钇粉(Y2O3),氧化硅粉(SiO2)和氮化硅粉(Si3N4)为原料,采用微波法来制备Y4Si2O7N2粉体材料,原料的摩尔比为Y2O3∶SiO2∶Si3N4=4∶(0.8-1.2)∶(0.8-1.2)。这种方法工艺简单,成本低廉且可操作性强,能够在较低的温度,较短的保温时间内获得单相纯净的钇硅氧氮(Y4Si2O7N2)陶瓷粉体材料。

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