专利详情

专利名称	一种高电阻、低B值负温度系数热敏电阻器
申请号	CN200910113608.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101786861A	公开（授权）日	2010.07.28
申请（专利权）人	中国科学院新疆理化技术研究所	发明（设计）人	张惠敏;常爱民;王伟
主分类号	C04B35/01(2006.01)I	IPC主分类号	C04B35/01(2006.01)I;H01C7/04(2006.01)I;H01C17/00(2006.01)I
专利有效期	一种高电阻、低B值负温度系数热敏电阻器至一种高电阻、低B值负温度系数热敏电阻器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种高电阻、低B值负温度系数热敏电阻器，该电阻是由原料镧、铬、铝、硅的氧化物和原料锰、镍、铬、锆的氧化物分别进行研磨，煅烧，制得颗粒大小均匀，分散性好的单一相材料，再经双相混合，研磨，高温烧结，封装，即可得到高电阻、低B值负温度系数热敏电阻器，其参数为R0℃＝12kΩ±2％，B值为2050K±3％。本发明具有制备工艺简单，操作方便和质量稳定的优点，可在较宽温区内进行测温、控温及线路补偿，与共沉淀法相比大大降低了元件的生产成本，同时节约能源、生产效率显著提高。