
一种分子印迹聚合物及其制法与应用
- 申请号:CN201010122775.8
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 公开(公开)号:CN101787123A
- 公开(公开)日:2010.07.28
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种分子印迹聚合物及其制法与应用 | ||
申请号 | CN201010122775.8 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN101787123A | 公开(授权)日 | 2010.07.28 |
申请(专利权)人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明(设计)人 | 邓宗武;陆枫;汪莲艳;英晓芳;吴福全 |
主分类号 | C08G73/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C08G73/02(2006.01)I;C08G73/06(2006.01)I;C08G61/12(2006.01)I;C08J9/26(2006.01)I;B01J20/285(2006.01)I;B01J20/30(2006.01)I;G01N31/20(2006.01)I |
专利有效期 | 一种分子印迹聚合物及其制法与应用 至一种分子印迹聚合物及其制法与应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明揭示了一种用于金属离子检测的分子印迹聚合物,其印迹和洗脱对象均为金属络合物离子,聚合物的印迹几何尺寸、结合点位与金属络合物离子特异性吻合。在石英微天平和表面等离子共振装置的金属薄膜表面原位合成聚合物,再将所述金属络合物离子洗脱,对需要检测的金属离子络合化后用分子印迹聚合物选择性吸附,检测金属离子的种类及含量。本发明通过对金属离子络合化处理,使金属离子体积的细微变化大幅度放大,利用分子印迹聚合物对模板分子几何结构的记忆性能,实现高选择性吸附,从而有效提高了金属离子检测的选择性。同时,由于金属离子络合后引起的质量增大和几何尺寸放大,进一步提高了金属离子检测的灵敏度及抗干扰能力。 |
交易流程
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专利 -
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