专利详情

专利名称	多层膜器件真空沉积装置
申请号	CN201210370067.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102877026A	公开（授权）日	2013.01.16
申请（专利权）人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	发明（设计）人	刘星元;林杰;李会斌
主分类号	C23C14/22(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/22(2006.01)I;C23C14/56(2006.01)I
专利有效期	多层膜器件真空沉积装置至多层膜器件真空沉积装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明多层膜器件真空沉积装置属于真空技术领域，目的在于解决现有技术中设备复杂、成本高、蒸发源浪费的问题。包括主挡板、主掩膜板、主衬底板以及一个真空室；所述主挡板、主掩膜板以及主衬底板位于所述真空室内；所述主衬底板、主掩膜板及主挡板自上而下同轴安放，所述真空室下部有沉积源、屏蔽板、以及磁控溅射靶，所述主衬底板上安装有烘烤装置；通过旋转所述主衬底板、主掩膜板以及主挡板来更换沉积材料。通过多次定位不同的掩膜框、衬底架、主挡板及沉积源实现多层膜器件在一个真空室内沉积形成，缩小了设备的体积，避免多个真空室之间传递带来的不变；采用衬底在沉积源正上方的方式，减少了蒸发材料的损耗，增加膜层的均匀性。