
一种单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件
- 申请号:CN201210255688.9
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
- 公开(公开)号:CN102790071A
- 公开(公开)日:2012.11.21
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件 | ||
申请号 | CN201210255688.9 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102790071A | 公开(授权)日 | 2012.11.21 |
申请(专利权)人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明(设计)人 | 田超;梁静秋;梁中翥;王维彪 |
主分类号 | H01L27/15(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/15(2006.01)I;H01L33/38(2010.01)I |
专利有效期 | 一种单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件 至一种单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件,包括N型衬底层,用来支撑所述微显示器件;多个发光单元,设置在所述N型衬底层上方,被多条相互交叉的沟槽分隔开;所述沟槽中填有不透明光阑;每个发光单元的下台面设有下电极,顶部设有上电极。本发明的单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件,可以避免正、背面分别做电极带来的工艺困难,具有异面垂直的双条形的上、下电极,可以得到较为均匀的电流分布。 |
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