一种制备含SiO2的金属氧化物复合薄膜的方法
- 申请号：CN201010277009.9
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院电工研究所
- 公开(公开)号：CN102005500A
- 公开(公开)日：2011.04.06
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种制备含SiO2的金属氧化物复合薄膜的方法 | ||
| 申请号 | CN201010277009.9 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102005500A | 公开（授权）日 | 2011.04.06 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 张俊;王文静;周春兰 |
| 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I;C25D11/32(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种制备含SiO2的金属氧化物复合薄膜的方法 至一种制备含SiO2的金属氧化物复合薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种制备含SiO2的金属氧化物复合薄膜的方法，首先在硅片(1)表面丝印一层金属浆料，烧结后，再在强酸性溶液中去除硅片(1)表面的金属电极层和金属与硅的合金层(3)；然后清洗硅片表面痕迹，得到该金属的有效掺杂层(2)；或再将该硅片(1)在碱性刻蚀溶液中刻蚀10s-12min，得到掺该金属的有效掺杂层内层(2)；然后采用阳极氧化的方法制得含SiO2的金属氧化物复合薄膜(4)。再经过退火，即可得到所需的薄膜。 | ||
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