专利详情

专利名称	一种硅基光子晶体槽状波导微腔激光器
申请号	CN201010500489.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102005696A	公开（授权）日	2011.04.06
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	王玥;张家顺;吴远大;安俊明;李建光;王红杰;胡雄伟
主分类号	H01S5/10(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/10(2006.01)I;H01S5/24(2006.01)I
专利有效期	一种硅基光子晶体槽状波导微腔激光器至一种硅基光子晶体槽状波导微腔激光器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种硅基光子晶体槽状波导微腔激光器，该激光器是由在SOI衬底顶层硅上的二维平板空气孔型光子晶体的单线缺陷波导中间引入的槽状波导，以及在该槽状波导及空气孔中填充的折射率低于SOI衬底顶层硅折射率的发光材料构成，该槽状波导包括依次连接的第一槽状波导、第二槽状波导和第三槽状波导，其中作为微腔的第二槽状波导的宽度大于第一槽状波导及第三槽状波导的宽度。这种结构能够将集光子晶体模式禁带局域模式限制效应、慢光效应及槽状波导的强场限制效应三者结合起来，能大幅度提高光与发光材料的相互作用，从而大幅度增强硅基的发光效率，进而实现低阈值激射。