专利详情

专利名称	一种检测氮化镓基发光二极管质量优劣的方法
申请号	CN200510110630.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1776442	公开（授权）日	2006.05.24
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所;上海蓝宝光电材料有限公司	发明（设计）人	陆卫;夏长生;李志锋;李宁;王少伟;张波;陈平平;陈效双;陈明法
主分类号	G01R31/26(2006.01)	IPC主分类号	G01R31/26(2006.01);G01M11/02(2006.01);G01J3/00(2006.01);G01J1/00(2006.01);H01L21/66(2006.01)
专利有效期	一种检测氮化镓基发光二极管质量优劣的方法至一种检测氮化镓基发光二极管质量优劣的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种检测氮化镓基半导体发光二极管质量优劣的方法。它是根据GaN基半导体发光二极管中存在的压电效应和InN类量子点结构，通过测量在不同注入电流下，发光峰位的蓝移量来判断发光二极管性能的优劣。在相同注入电流下，如果发光峰位蓝移量越大，电流的注入效率就越高，电流在芯片、电极、支架、引线等器件各个部分上的损失就越小。这就说明制造发光二极管的各个工艺过程，如材料生长、电极加工、封装控制的比较好，产品的质量相对就比较高。本发明具有操作简单，易于批量使用的特点。