专利详情

专利名称	一种确定光刻机最佳焦面位置的装置及方法
申请号	CN201010121649.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101799640A	公开（授权）日	2010.08.11
申请（专利权）人	中国科学院光电技术研究所	发明（设计）人	陈红丽;邢廷文;廖志杰;林妩媚
主分类号	G03F9/00(2006.01)I	IPC主分类号	G03F9/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I
专利有效期	一种确定光刻机最佳焦面位置的装置及方法至一种确定光刻机最佳焦面位置的装置及方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种确定光刻机最佳焦面位置的测量装置以及方法，所述装置包括照明光源系统、投影物镜成像系统、用于支撑并固定掩模板的掩模台、用于支撑并固定晶片的工作台、波像差传感器以及用于精确定位的干涉仪。所述方法推导了离焦和其他偶像差的转换关系，并用波像差传感器检测不同离焦位置时光学成像系统的波像差，根据测量结果计算可得光刻机光学系统最佳焦面位置。通过本发明的测量装置和方法，可以测量光刻机最佳焦面。