专利详情

专利名称	可与读出电路集成的锆钛酸铅铁电簿膜材料的制备方法
申请号	CN200510029985.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1779923	公开（授权）日	2006.05.31
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	褚君浩;张晓东;孟祥建;孙璟兰;林铁
主分类号	H01L21/31(2006.01)	IPC主分类号	H01L21/31(2006.01);H01L21/314(2006.01);H01L21/3105(2006.01);C23C14/00(2006.01);C23C14/34(2006.01);C23C14/54(2006.01);C23C14/58(2006.01)
专利有效期	可与读出电路集成的锆钛酸铅铁电簿膜材料的制备方法至可与读出电路集成的锆钛酸铅铁电簿膜材料的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种可与读出电路集成的锆钛酸铅铁电薄膜材料的制备方法，该方法是通过低温原位磁控溅射生长，然后，进行高压低温处理而实现的。本发明方法的最大优点是：在400℃的低温下，可以得到高度(100)取向的纯钙钛矿相PZT薄膜，并具有很好的铁电性；重复性好，整个制备和处理温度在450℃以下，能直接沉积在读出电路上，和铁电微器件的单片集成工艺相兼容。