专利详情

专利名称	一种宽带减反增透纳米结构及其制备方法
申请号	CN201010571961.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102064204A	公开（授权）日	2011.05.18
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	黄富强;李德增
主分类号	H01L31/0216(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I
专利有效期	一种宽带减反增透纳米结构及其制备方法至一种宽带减反增透纳米结构及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及为一种宽带减反增透纳米结构及其制备方法。属光学薄膜材料领域。本发明采用溶胶-凝胶技术，形成纳米薄膜-纳米球复合折射率梯度结构。此结构是在纳米薄膜上面制备一层纳米球阵列结构，或是将纳米球分散在前驱溶胶中，最终制备复合薄膜。所述的SiO2纳米薄膜的厚度控制在20-2500nm范围，SiO2纳米球的直径控制在15-500nm范围。所述的SiO2纳米薄膜折射率介于1.15-1.50之间。在本发明获得的宽带减反增透结构，在透明光电、热电转换和光学仪器等领域具有广泛的应用前景。