专利详情

专利名称	一种半导体器件及其制造方法
申请号	CN200910237546.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102064176A	公开（授权）日	2011.05.18
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王文武;陈世杰;王晓磊;韩锴;陈大鹏
主分类号	H01L27/092(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/092(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I
专利有效期	一种半导体器件及其制造方法至一种半导体器件及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种半导体器件，包括：具有第一区域和第二区域的半导体衬底；在所述第一区域上的属于pMOS器件的第一栅极结构；在所述第二区域上的属于nMOS器件的第二栅极结构；在所述第一栅极结构的侧壁的多层第一侧墙，其中所述多层第一侧墙中邻接所述第一栅极结构的层为氧化物层；在所述第二栅极结构的侧壁的多层第二侧墙，其中所述多层第二侧墙中邻接所述第二栅极结构的层为氮化物层。应用本发明不仅可以降低pMOS器件中高k栅介质中的氧空位缺陷，而且还可以避免高温热处理过程中nMOS器件的EOT增大的问题，从而可以有效地提高高k栅介质CMOS器件的整体性能。