专利详情

专利名称	提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法
申请号	CN200410009922.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1783512	公开（授权）日	2006.06.07
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	王翠梅;王晓亮;胡国新;王军喜;李建平;曾一平;李晋闽
主分类号	H01L29/778(2006.01)	IPC主分类号	H01L29/778(2006.01);H01L21/335(2006.01)
专利有效期	提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法至提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构，包括：一蓝宝石衬底或碳化硅衬底或硅衬底；一高阻半绝缘氮化镓缓冲层，该高阻半绝缘氮化镓缓冲层制作在衬底上；一高迁移率氮化镓沟道层，该高迁移率氮化镓沟道层制作在高阻半绝缘氮化镓缓冲层上；一薄层氮化铝插入层，该薄层氮化铝插入层制作在高迁移率氮化镓沟道层上，该薄层氮化铝插入层可以提高氮化镓基高电子迁移率晶体管材料的综合性能；一n型掺杂或非故意掺杂铝镓氮势垒层，该n型掺杂或非故意掺杂铝镓氮势垒层制作在薄层氮化铝插入层上。