专利详情

专利名称	一种低介电损耗压电陶瓷材料及其制备方法
申请号	CN200410089073.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1781874	公开（授权）日	2006.06.07
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	李玉臣;姚烈;董显林
主分类号	C04B35/49(2006.01)	IPC主分类号	C04B35/49(2006.01);C04B35/491(2006.01);C04B35/622(2006.01)
专利有效期	一种低介电损耗压电陶瓷材料及其制备方法至一种低介电损耗压电陶瓷材料及其制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	一种低介电损耗压电陶瓷材料及其制备方法，属于压电陶瓷领域。其特征在于材料的组成为Pb_1－xMe_x(Zr_yTi_1－y)O₃+zmol％添加物，x＝0.0～0.10，Me＝Sr或Ba或Sr和Ba的组合物；y＝0.50～0.54；z＝0.01～2，添加物为MnO₂、CaFeO₃、BiFeO₃和Li₂O中的一种或几种复合。本发明采用常规固相反应方法，获得了一种介电损耗tgδ＝0.10％(小信号下测)，tgδ＝0.54％(400v/mm强场下测)，机械品质因数Q_m＞1900，压电常数d₃₃＝220pC/N的大功率压电陶瓷材料。利用这种材料制得的陶瓷元件，组装成各种压电换能器，可以在压电马达、压电驱动器、压电式振动给料器、各类压电变压器、大功率超声焊接和超声清洗等方面获得广泛应用。