专利详情

专利名称	运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备
申请号	CN201110206038.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102244007A	公开（授权）日	2011.11.16
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	周旭亮;于红艳;王宝军;潘教青;王圩
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I
专利有效期	运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备至运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底1上生长二氧化硅层；步骤2：采用传统光刻和RIE方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出沟槽；步骤3：采用KOH湿法刻蚀在沟槽的硅衬底上形成V形沟槽；步骤4：分别用piranha、SC2、HF和去离子水，清洗沟槽底部衬底的V形沟槽；步骤5：采用低压MOCVD的方法，先在沟槽内生长GaAs缓冲层，然后在沟槽内的GaAs缓冲层上生长GaAs顶层；步骤6：采用化学机械抛光的方法，将超出沟槽的GaAs顶层抛光，抛光至与二氧化硅层齐平，完成材料的制备。