专利详情

专利名称	一种细晶、高介电常数压电陶瓷材料及其制备方法
申请号	CN200510030857.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1785896	公开（授权）日	2006.06.14
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	张文斌;张仲猷;董显林
主分类号	C04B35/462(2006.01)	IPC主分类号	C04B35/462(2006.01);C04B35/49(2006.01);C04B35/622(2006.01);H01L41/187(2006.01)
专利有效期	一种细晶、高介电常数压电陶瓷材料及其制备方法至一种细晶、高介电常数压电陶瓷材料及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种晶粒细小、高介电常数的压电陶瓷材料及其制备方法，所述材料的配方组成为： Pb_1－ mSr_m (Mg_1/3Nb_{2/3)_xTi_yZrz}O₃＋ awt. ％NiO+bwt.％SiO₂＋cwt.％ La₂O_{3＋dwt.％ Sm₂O_{3，其中，m＝0.05～0.15；x＝0.25～0.4；y＝0.3～0.40；z ＝0.20～0.4；x+y+z＝1；a＝0.1～0.5；b＝0.1～0.3；c＝0～0.3； d＝0～0.3。所述材料的介电常数ε＞6000、压电系数 d₃₃～850pC/N、机械品质因数 Q_m＝40～60，晶粒尺寸为1～4 μm。制备工艺为：配料混合、压块合成；粉碎细磨、干压成型、排塑、通氧烧结、切割加工、上电极、性能测试。有望在超声换能器、特别是医疗超声成像检测领域具有广阔的应用前景。}}