专利详情

专利名称	铈掺杂稀土硼酸盐闪烁晶体及其坩埚下降法制备方法
申请号	CN200910195565.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102021651A	公开（授权）日	2011.04.20
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	丁栋舟;杨帆;任国浩;潘尚可;张卫东;陈晓峰
主分类号	C30B29/22(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/22(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I
专利有效期	铈掺杂稀土硼酸盐闪烁晶体及其坩埚下降法制备方法至铈掺杂稀土硼酸盐闪烁晶体及其坩埚下降法制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及晶体领域，具体涉及一种铈掺杂稀土硼酸盐闪烁晶体及其坩埚下降法制备方法。本发明的铈掺杂稀土硼酸盐闪烁晶体的化学式为：Li6Gd1-x-yYxCey(BO3)3，其中x的取值范围为0～0.9999，y的取值范围为0.0001～0.1。本发明的铈掺杂稀土硼酸盐闪烁晶体通过以电负性及离子半径相近，而原子序数相对更小的元素Y来部分置换Gd元素，优化了硼酸钆锂晶体对于中子的探测性能，并降低了晶体制备的原料成本。本发明的下降法制备具有工艺设备简单，操作方便，能耗低，生长效率高、成本低可实现工业化生产等特点。