专利详情

专利名称	半导体器件及其制造方法
申请号	CN200910092514.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102024744A	公开（授权）日	2011.04.20
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	尹海洲;朱慧珑;骆志炯
主分类号	H01L21/768(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/768(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I
专利有效期	半导体器件及其制造方法至半导体器件及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提出了一种双接触孔形成方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成源极/漏极区域和替代栅结构，替代栅结构包括多晶硅栅；沉积第一层间介电层；对第一层间介电层进行平坦化处理，以暴露出替代栅结构中的多晶硅栅；去除多晶硅栅，并沉积形成金属栅；在第一层间介电层中刻蚀出第一源/漏区接触孔开口；在第一源/漏区接触孔开口中顺序沉积衬里和填充导电金属，以形成第一源/漏区接触孔；在第一层间介电层上沉积第二层间介电层；在第二层间介电层中刻蚀出第二源/漏区接触孔开口和栅区接触孔开口；以及在第二源/漏区接触孔开口和栅区接触孔开口中顺序沉积衬里和填充导电金属，以形成第二源/漏区接触孔和栅区接触孔。本发明还提出了一种通过上述工艺制造的半导体器件。