专利详情

专利名称	一种无金属催化剂高效生长单壁纳米碳管的方法
申请号	CN200910187296.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102020262A	公开（授权）日	2011.04.20
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	成会明;任文才;刘碧录;高力波;李世胜
主分类号	C01B31/02(2006.01)I	IPC主分类号	C01B31/02(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I
专利有效期	一种无金属催化剂高效生长单壁纳米碳管的方法至一种无金属催化剂高效生长单壁纳米碳管的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及单壁纳米碳管的制备技术，具体为一种无金属催化剂高效生长单壁纳米碳管的方法，适于高效制备高质量、无金属杂质残留的单壁纳米碳管。该方法以离子溅射方法制备的二氧化硅薄膜为催化剂前驱体，在600～1100℃条件下通过碳源的裂解制备单壁纳米碳管。其中，碳源为甲烷、乙烷、乙烯、乙炔、苯、甲苯、环己烷等碳氢化合物或乙醇、甲醇、丙酮、一氧化碳等，载气为氢气或氢气与氩气、氦气等惰性气体的混合气。本发明提出以离子溅射方法得到的SiO2镀膜为催化剂前驱体，高效生长不含有任何金属杂质的高质量单壁纳米碳管，具有操作简便、成本低、与易于在硅基体上定位生长和图案化生长单壁纳米碳管的特点，对要求无金属杂质的单壁纳米碳管的应用奠定了基础。