专利详情

专利名称	一种MEMS微型高灵敏度磁场传感器及制作方法
申请号	CN200610030766.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1912646	公开（授权）日	2007.02.14
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	吴亚明;刘玉菲;李四华;万助军
主分类号	G01R33/02(2006.01)	IPC主分类号	G01R33/02(2006.01);G01R33/032(2006.01);G03F7/00(2006.01)
专利有效期	一种MEMS微型高灵敏度磁场传感器及制作方法至一种MEMS微型高灵敏度磁场传感器及制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种MEMS微型高灵敏度磁场传感器及制作方法，其特征在于所述的磁场传感器是由双端固置式 MEMS扭转微镜、磁性敏感薄膜和双光纤准直器构成；金属反馈电极和磁性敏感薄膜之间形成器件扭转间隙；通过调节架，利用光学封装树脂，完成与双光纤准直器的封接。其制作方法特征是利用MEMS技术制作微磁敏感结构与光纤检测技术结合，包括传感器基底及反馈电极制作、传感器磁场薄膜的制作、器件键合、整体减薄及反射镜面的制作以及器件扭转结构释放四大步骤，所提供的磁场传感器最小可敏感到60nT的微弱磁场，灵敏度达0.6dB/μT。有利于批量生产和器件成本的降低。