
一种环状磁性多层膜及其制备方法和用途
- 申请号:CN200510135365.6
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院物理研究所
- 公开(公开)号:CN1992104
- 公开(公开)日:2007.07.04
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种环状磁性多层膜及其制备方法和用途 | ||
申请号 | CN200510135365.6 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN1992104 | 公开(授权)日 | 2007.07.04 |
申请(专利权)人 | 中国科学院物理研究所 | 发明(设计)人 | 马明;韩秀峰;姜丽仙;韩宇男;覃启航;魏红祥 |
主分类号 | H01F10/32(2006.01) | IPC主分类号 | H01F10/32(2006.01);H01F10/12(2006.01);H01F41/14(2006.01);H01L43/08(2006.01);H01L43/12(2006.01);G11C11/16(2006.01);G11B5/39(2006.01) |
专利有效期 | 一种环状磁性多层膜及其制备方法和用途 至一种环状磁性多层膜及其制备方法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明涉及一种环状磁性多层膜,其特征在于:所述的磁性多层膜的横截面呈闭合的圆环状,该圆环的内径为10~100000nm,外径为20~200000nm。按照形成的材料分类,本发明的磁性多层膜包括无钉扎型环状磁性多层膜和钉扎型环状磁性多层膜,其可以通过微加工方法或绝缘体微米、亚微米或纳米颗粒掩模两种方法来制备。本发明的环状磁性多层膜无退磁场,形状各向异性微弱,能够广泛应用于以磁性多层膜为核心的各种器件,例如,磁性随机存取存储器,计算机磁头,磁敏传感器等。 |
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