专利详情

专利名称	一种降低CMOS瞬态功耗的电路
申请号	CN201010127286.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101795134A	公开（授权）日	2010.08.04
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	丁晟;宋志棠;陈后鹏
主分类号	H03K19/20(2006.01)I	IPC主分类号	H03K19/20(2006.01)I
专利有效期	一种降低CMOS瞬态功耗的电路至一种降低CMOS瞬态功耗的电路	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种降低CMOS瞬态功耗的电路，包括由PMOS晶体管与NMOS晶体管连接构成的CMOS门电路，所述PMOS晶体管的源极接入电源电平；在该门电路上拉网络的PMOS晶体管的基极与电源之间，接入一个隔离器件，使得该基极与电源端隔离。同时对该基极增加稳压器件，使得该基极电压值保持一定范围内的恒定。由此，在门电路输入信号进行切换的过程中，不会引起由电源经过基极到输入端的馈通电流，从而降低了CMOS集成电路的瞬态功耗，又由于存在稳压器件，保证了基极电位始终不变，不会影响逻辑门电路操作。