专利详情

专利名称	半导体纳米结构和制造方法及其应用
申请号	CN200910312160.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102107852A	公开（授权）日	2011.06.29
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘洪刚;刘新宇;吴德馨
主分类号	B82B1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B82B1/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I
专利有效期	半导体纳米结构和制造方法及其应用至半导体纳米结构和制造方法及其应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种半导体纳米结构和制造方法及其应用，属于半导体材料制备技术领域。所述半导体纳米结构包括单晶硅衬底、介质薄膜、第一缓冲层、半导体籽晶材料、第二缓冲层和半导体纳米功能区；所述介质薄膜形成于所述单晶硅衬底上；所述单晶硅衬底上具有图形化窗口，所述第一缓冲层形成于所述图形化窗口中的单晶硅衬底上，所述半导体籽晶材料层形成于所述第一缓冲层上；所述第二缓冲层和半导体纳米功能区形成于所述介质薄膜上。本发明半导体纳米结构在硅衬底上集成生长时，其载流子迁移率、几何特征与异质结构都能满足高性能CMOS技术与硅基光电集成的要求。