专利详情

专利名称	一种水热法生长氟硼铍酸钾/钠单晶体的方法
申请号	CN200610072715.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101050547	公开（授权）日	2007.10.10
申请（专利权）人	中国科学院理化技术研究所;桂林矿产地质研究院	发明（设计）人	胡章贵;陈创天;刘有臣;张昌龙;王晓洋;周卫宁
主分类号	C30B29/22(2006.01)	IPC主分类号	C30B29/22(2006.01);C30B7/10(2006.01)
专利有效期	一种水热法生长氟硼铍酸钾/钠单晶体的方法至一种水热法生长氟硼铍酸钾/钠单晶体的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种使用碎晶体作为初始原料的水热法生长氟硼铍酸钾/钠单晶体的方法，其为将作为营养料的氟硼铍酸钾/钠的碎晶放置于黄金衬套中的底部，按60～80％的充满度，加入含有0～2.0mol/L矿化剂的去离子水或蒸馏水溶液，调整溶液的pH值在2.0～10.0之间；在黄金衬套的顶部悬挂c方向的氟硼铍酸钾/钠晶体作为籽晶；加热使得生长区平均温度为300～450℃，溶解区平均温度为400～500℃，压力P≤200MPa；经10～90天恒温生长，得到氟硼铍酸钾/钠单晶体。本发明工艺简单、成本低廉，可以使得在晶体c方向生长的长度达到厘米量级甚至更高；得到的晶体质量也优于助熔剂法生长的晶体，更有利于应用。