
一种微盘电极或微盘阵列电极的制备方法
- 申请号:CN200710055628.1
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院长春应用化学研究所
- 公开(公开)号:CN101051033
- 公开(公开)日:2007.10.10
- 法律状态:授权
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专利详情
专利名称 | 一种微盘电极或微盘阵列电极的制备方法 | ||
申请号 | CN200710055628.1 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN101051033 | 公开(授权)日 | 2007.10.10 |
申请(专利权)人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明(设计)人 | 董绍俊;徐晓龙;刘柏峰;郏建波;徐铜文 |
主分类号 | G01N27/30(2006.01) | IPC主分类号 | G01N27/30(2006.01);B81C1/00(2006.01) |
专利有效期 | 一种微盘电极或微盘阵列电极的制备方法 至一种微盘电极或微盘阵列电极的制备方法 | 法律状态 | 授权 |
说明书摘要 | 一种微盘电极及微盘阵列电极的制备方法,在聚四氟乙烯平板上,用透明胶带围成沟槽;金属丝垂直沟槽置于沟槽上方并固定,用树脂包埋,室温下固化后剥下,将其卷曲成柱状插入两端开口的玻璃管中,金属丝露出端接导线引出,另一端插入新调制的树脂材料虹吸密封,置于室温下固化;打磨露出金属丝端面并抛光电极表面,可以获得不同金属的微盘电极或微盘阵列电极,改变包埋金属丝的数目,可以控制阵列电极中单电极的数目;电极表面可以研磨更新重复使用。 |
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