专利详情

专利名称	一种无碲存储材料、制备方法及应用
申请号	CN200710040302.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101049934	公开（授权）日	2007.10.10
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	张挺;宋志棠;刘波;刘卫丽;封松林;陈邦明
主分类号	C01B33/06(2006.01)	IPC主分类号	C01B33/06(2006.01);C23C14/35(2006.01);C23C14/06(2006.01);G11B7/24(2006.01)
专利有效期	一种无碲存储材料、制备方法及应用至一种无碲存储材料、制备方法及应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及了一种无碲存储材料、制备方法及应用。其特征在于所述的存储材料为硅－锑混合物，组成通式为Si_xSb_100－x，0＜x＜90，优先推荐组成为5≤x≤70。所述的材料在外部能量作用下为电驱动、激光脉冲驱动或电子束驱动。通过调整这种材料中两种元素的组份，可以得到具有不同结晶温度、熔点和结晶激活能的存储材料。所提供的材料体系具备如下优点：较好的可调性、较强的数据保持能力、较简单的成份和制备工艺、对半导体设备没有污染、较好的可加工性、环境友好性等，具有广阔的应用前景。硅－锑合金材料是用于存储器的理想存储介质。