专利详情

专利名称	一种大层间距和高活性的改性钙基蒙脱土及其制备方法
申请号	CN200710035015.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101058678	公开（授权）日	2007.10.24
申请（专利权）人	株洲时代新材料科技股份有限公司;中国科学院化学研究所	发明（设计）人	金焱;王进;杨军;徐坚
主分类号	C09C1/28(2006.01)	IPC主分类号	C09C1/28(2006.01);C09C3/06(2006.01)
专利有效期	一种大层间距和高活性的改性钙基蒙脱土及其制备方法至一种大层间距和高活性的改性钙基蒙脱土及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种大层间距和高活性的改性钙基蒙脱土及其制备方法。改性蒙脱土最大层间距可以达到1.4nm～7.42nm。所述改性蒙脱土的生产方法是，采用酸性溶液作为分散剂，在一定温度下利用水的溶剂化作用使蒙脱土片层产生剥离，并使蒙脱土表面的Si－O－Si键活化生成Si－OH，最终获得大的片层间距，高表面活性的改性蒙脱土。包括以下步骤：(1)改性溶液的配制：用酸和水按照1∶0.5～2的重量份配比，搅拌混合成酸性分散液；(2)蒙脱土的加入：将粉末状蒙脱土，按照合成酸性分散液与粉末状蒙脱土1∶1～3重量份配比，分批加入到分散液，将温度升高到30℃～90℃温度，搅拌0.5～3小时，冷却过滤，用水洗涤至中性，获得本发明的大层间距改性蒙脱土。