半导体器件及其制造方法
- 申请号：CN201110265073.X
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN103000686A
- 公开(公开)日：2013.03.27
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201110265073.X | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103000686A | 公开（授权）日 | 2013.03.27 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 |
| 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：由多个半导体子层构成的半导体层；在所述半导体层中接于所述半导体层形成的多个鳍片，其中，至少两个鳍片分别包括不同数目的半导体子层，且具有不同的高度。根据本发明，能够在同一晶片上集成具有不同尺寸的多个半导体器件，并提供具有不同驱动能力的器件。 | ||
交易流程
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