专利详情

专利名称	异价离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体及其制备方法
申请号	CN200610148126.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101092746	公开（授权）日	2007.12.26
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	严东生;谢建军;袁晖;廖晶莹;沈炳孚;童乃柱;邵培发;叶崇志;熊巍;李培俊;吴泓澍;展宗贵;陈良;朱翔宇
主分类号	C30B29/32(2006.01)	IPC主分类号	C30B29/32(2006.01)
专利有效期	异价离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体及其制备方法至异价离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及异价离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体及其制备方法，属于晶体生长领域。本发明用F^－和Sb³⁺离子双掺杂，在此基础上引入Mo⁶⁺，V⁵⁺，Nb⁵⁺，Zr⁴⁺和Ti⁴⁺等高价离子协同掺杂来提高钨酸铅晶体的光产额，掺杂量分别为100～8000ppm(at％)、100～5000ppm(at％)和0～10000ppm(at％)，制备方法上利用改进的坩埚下降法来生长具有相对较快衰减，光产额明显提高的阴阳异价离子协同掺杂的钨酸铅单晶。使用铂金坩埚生长。本发明可以同时生长多根高光产额PWO晶体，适于批量生产。