专利详情

专利名称	一种用于CMOS器件的双金属栅双高介质的集成方法
申请号	CN201010199981.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102280376A	公开（授权）日	2011.12.14
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	徐秋霞;许高博
主分类号	H01L21/28(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/28(2006.01)I;H01L21/314(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I
专利有效期	一种用于CMOS器件的双金属栅双高介质的集成方法至一种用于CMOS器件的双金属栅双高介质的集成方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种用于CMOS器件的双金属栅双高K栅介质的集成方法：用快速热氧化生长超薄界面氧化层或氮氧化层；利用物理溅射在超薄界面氧化层上物理汽相淀积高介电常数K栅介质；淀积高K栅介质后快速热退火；采用物理汽相淀积金属氮化物栅；用光刻胶作掩模先后分别进行掺杂；低压化学汽相淀积多晶硅膜和硬掩模，然后进行光刻和硬掩膜的刻蚀；去胶，依次刻蚀多晶硅膜/金属栅/高K介质形成金属栅叠层结构；形成侧墙-1和源/漏延伸区低能注入和大角度注入；形成侧墙-2和源/漏注入；进行快速热退火，在完成源/漏杂质激活的同时，分别实现NMOS器件和PMOS器件金属栅有效功函数的调节。