晶型可控的氧化铟粉末的制备方法
- 申请号：CN200710044189.4
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号：CN101117236
- 公开(公开)日：2008.02.06
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | 晶型可控的氧化铟粉末的制备方法 | ||
| 申请号 | CN200710044189.4 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101117236 | 公开（授权）日 | 2008.02.06 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 曾宇平;储德韦;江东亮 |
| 主分类号 | C01G15/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G15/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 晶型可控的氧化铟粉末的制备方法 至晶型可控的氧化铟粉末的制备方法 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种利用简单的沉淀法制备晶型可控的不掺杂及掺杂氧化 铟纳米粉体的方法，属于纳米材料范畴。制备步骤：(1)将含有铟离子和一 定量的过渡金属离子(Fe，Co，Ni，Cu，Cr，Mn中的一种或几种)的醇溶液， 和碱的醇溶液混合；(2)将得到悬浮液离心，得到的沉淀洗涤，干燥，在 300-500℃温度下煅烧，即可得到可控晶型的氧化铟纳米粉体。所述的醇溶 液为低极性醇，优先推荐甲醇或乙醇。铟盐醇溶液的质量百分浓度为 0.5％-10％，掺杂过渡金属离子的原子百分浓度为0.1-20％。 | ||
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