专利详情

专利名称	一种形成半导体结构的方法
申请号	CN201110033687.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102623405A	公开（授权）日	2012.08.01
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱慧珑;尹海洲;骆志炯
主分类号	H01L21/8238(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	一种形成半导体结构的方法至一种形成半导体结构的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种形成半导体结构的方法，包括：提供一半导体衬底，其包括：形成在所述半导体衬底上的伪栅，围绕所述伪栅的侧墙，分别形成在所述伪栅两旁的源极区和漏极区，形成在所述半导体衬底中且在所述伪栅下的沟道区；去除所述伪栅，以形成栅极间隙；在所述栅极间隙内形成应力材料层；对所述半导体衬底进行退火，所述应力材料层在退火中具有拉应力性质；去除所述栅极间隙内的所述应力材料层；及在所述栅极间隙中形成栅极。通过上述步骤，可以将应力记忆技术应用于pMOSFFT。