专利详情

专利名称	一种背接触型晶体硅太阳能电池及其制作方法
申请号	CN201210103888.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102623517A	公开（授权）日	2012.08.01
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	张宇翔;黄寓洋;张耀辉
主分类号	H01L31/0216(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种背接触型晶体硅太阳能电池及其制作方法至一种背接触型晶体硅太阳能电池及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种背接触型晶体硅太阳能电池，包括硅基底(10)、n型或p型掺杂的多晶硅层(15)，在所述n型或p型掺杂的多晶硅层(15)和硅基底(10)之间形成第一钝化层(11)。本发明还提供这种背接触型晶体硅太阳能电池的制作方法，通过热氧化法引入第一钝化层(11)。通过这样方法改进的太阳能电池会大大改善电池表面的钝化效果，减少光生载流子的复合，降低电学的损失，从而获得更高的转换效率，实现更大的功率输出。