一种金属纳米晶薄膜的制备方法
- 申请号：CN200610109562.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN101122006
- 公开(公开)日：2008.02.13
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | 一种金属纳米晶薄膜的制备方法 | ||
| 申请号 | CN200610109562.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101122006 | 公开（授权）日 | 2008.02.13 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 龙世兵;李志刚;刘明;陈宝钦 |
| 主分类号 | C23C14/18(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/18(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种金属纳米晶薄膜的制备方法 至一种金属纳米晶薄膜的制备方法 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种金属纳米晶薄膜的制备方法，该方法包括：A.在 绝缘衬底上淀积一层金属薄膜；B.在惰性气体中高温快速退火，形成分 离的金属纳米晶薄膜。利用本发明制备的金属纳米晶薄膜，具有很好的电 荷俘获和存储特性，能够与传统的硅平面工艺兼容，非常适合于适于制作 高性能的半导体存储器件。利用本发明提供的制备金属纳米晶薄膜的方 法，大大简化了制备工艺，降低了制备成本，提高了工艺稳定性和制备效 率，非常有利于本发明的广泛推广和应用。 | ||
交易流程
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